신소재공학과 권오준(석사 2년, 지도교수 조병진)씨가 지난 7월 17일(일)부터 7월 21일(목)까지 라마다프라자 제주호텔에서 개최된 ‘The 20th International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications(ISPSA 2022)’에서 ‘우수 포스터상(Best Poster Presentation Award)’을 수상했다.
권오준씨는 ‘Tunable memtransistor switching characteristics of sulfur vacancy-modulated MoS2 multilayer(황 공공 조절을 통한 다층 MoS2 멤트랜지스터의 스위칭 특성 제어 연구)’라는 주제로 발표해 Low Dimensional Semiconductors 분과에서 포스터 우수상을 받았다.
권오준씨는 이번 연구를 통해 화학기상증착법을 통해 대면적으로 합성된 2차원 MoS2 원자층 박막을 산소 플라즈마 처리를 하게 되면 황 공공을 생성할 수 있으며 또한 플라즈마 조건을 잘 제어하게 되면 MoS2 내구에 존재하는 황 공공 결함의 농도를 정밀하게 제어하는 것이 가능하다는 것을 발견했다.
이처럼 황 공공 결함의 농도를 정밀하게 제어하는 공정 기술은 메모리 특성과 트랜지스터 특성이 동시에 발현되는 멤트랜지스터 소자화 기술에 필수적이지만 관련 연구가 거의 진행되지 않았다. 또한, 이러한 원자층 표면 플라즈마 처리 기술은 멤트랜지스터의 전기적 특성을 발현하는 동시에 신뢰성까지도 확보하는 것이 가능하기 때문에 향후 차세대 뉴로모픽 시스템의 인공 시냅스 전자 소자화 기술에 필수적인 공정 기술로 활용이 가능할 것으로 예상된다.
한편, 한국물리학회가 개최한 이번 국제학술대회는 ‘Past-, Current-, and Future-Semiconductors’라는 주제로, 총 8개의 분과에서 700편 이상의 초록이 접수되어 반도체 기술 분야의 최신 연구 결과들이 공유됐다.
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