신소재공학과 오세영(4학년, 지도교수 조병진) 학생이 지난 6월 2일(일)부터 6월 5일(수)까지 일본 아와지 유메부타이 국제 컨퍼런스 센터(Awaji Yumebutai International Conference Center)에서 개최된 ‘3rd International Symposium on Anodizing Science and Technology 2019(제3회 양극산화 과학 및 기술 국제 학술대회 2019)’ 에서 ‘우수포스터상(Best Poster Award)’을 수상했다.
오세영 학생은 ‘Low-powered Switching Characteristics of SWCNTs Transistor Integrated with Al-ZrHfO2 Dielectric for Nonvolatile Memory(알루미늄 도핑된 지르코늄 하프늄 산화물 유전체와 단일벽 탄소나노튜브 채널로 집적화된 트랜지스터의 저전력 비휘발성 메모리 특성 연구)’를 주제로 발표해 상을 받았다.
이 연구는 1차원 나노소재인 단일벽 탄소나노튜브 반도체와 지르코늄-하프늄 2원계 물질에 알루미늄 도펀트를 첨가한 고 유전상수 소재로 집적화한 전계효과 트랜지스터는 기존 실리콘 산화물 유전체 소자 대비 구동전압이 약 10배정도 감소하였으며 우수한 메모리 스위칭 특성을 확인했다. 이런 스위칭 특성은 유전체 물질 내부에 존재하는 산소 공공에 전하가 포획되기 때문이다. 개발된 나노전자소자는 저전력 비 휘발성 메모리로 응용이 가능하며 향후 저항 변화 특성을 정밀하게 제어하면 뉴로모픽 소자로도 응용이 가능할 것으로 기대된다.
이번 학술대회 포스터에 관련된 논문은 오세영 학생이 주 저자로 개재됐으며, ‘Low Power Switching Characteristics of CNT Field Effect Transistor Device with Al-Doped ZrHfO2 Gate Dielectric(알루미늄 도핑된 지르코늄-하프늄 산화물 게이트 유전체를 적용한 카본나노튜브 전계효과 트랜지스터의 저 전력 스위칭 특성.)’이란 제목으로 ‘Journal of Nanomaterials(나노재료학술지)’에 지난 2018년 10월 8일자로 출판되었다.
한편, Anodizing Research Society(ARS)가 개최한 이번 학술대회는 전 세계 19개 국가에서 약 100편이상의 초록이 접수됐다.
