30
2025.10

대학원공지 N 2025년 석사우수장학금(이공계) 신규 장학생 선발 안내 (~11.3. 10:00)

      신청 희망하는 학생은 11.3.(월) 10:00까지 학과사무실로 제출 (기한 엄수)   * 제출서류  1) 서식파일 [ 연구활동실적서, 학업연구계획서, 사회활동기여계획서, 대학원 전일제 과정 증명서 ]    > 주임교수 날인 학과에서 처리 예정 2) 성적증명서     * 제출방법 : jojoohee@chungbuk.ac.kr로 [ 서식 한글파일 + 성적증명서 pdf ] 파일 제출      

28
2025.10

대학원공지 『2025학년도 동계 대학원 논문제출자격 외국어시험 대체강좌』운영 안내

24
2025.10

학과공지 2025학년도 2학기 자기추천 장학생 선발 안내 (~11.5.(수) 18:00까지)

- 신청기한 : 11.5.(수) 18:00까지    - 신청서류  1) 첨부파일 5,6,7,9p   2) 학자금 지원구간 확인서 (해당자만, 한국장학재단에서 발급)     - 제출방법 : 신청서류 작성 후 증빙서류와 함께 온라인 제출 (개신누리)         (참고) - 결과 보고 시 제출 서류 : 첨부파일 8p + 그 외 증빙자료 - 지급 예정일 : 11.21.(금) (예정) - 78명 선발 예정       자세한 사항은 첨부파일 참고 바랍니다.

22
2025.10

행정자료실 2025년 연구활동종사자 건강검진 대상자 제출 요청 (~10.24. 15:00)

    붙임2 의 물질을 취급하는 연구활동종사자 (교수·연구원·대학생·대학원생 및 연구보조원 등)가 있을 경우, ‘붙임1’의 양식을 작성하여 2025.10.24.(금) 15:00까지 기한을 준수하여 회신 ※ 해당 기한까지 회신이 없을 경우 대상자가 없는 것으로 간주함.   (참고) : 전년도 제출자료   제출방법 : jojoohee@chungbuk.ac.kr 로 (붙임1) 파일 회신

24
2025.10

2025학년도 2학기 자기추천 장학생 선발 안내 (~11.5.(수) 18:00까지)

- 신청기한 : 11.5.(수) 18:00까지    - 신청서류  1) 첨부파일 5,6,7,9p   2) 학자금 지원구간 확인서 (해당자만, 한국장학재단에서 발급)     - 제출방법 : 신청서류 작성 후 증빙서류와 함께 온라인 제출 (개신누리)         (참고) - 결과 보고 시 제출 서류 : 첨부파일 8p + 그 외 증빙자료 - 지급 예정일 : 11.21.(금) (예정) - 78명 선발 예정       자세한 사항은 첨부파일 참고 바랍니다.

10
2025.09

[스마트융복합소재 캡스톤디자인] 2025학년도 캡스톤디자인 경진대회 일정 및 제출서류 알림

[ 2025학년도 캡스톤디자인 경진대회 ]  1. 일시 : 2025.11.20.(목) 10:00~17:00 2. 장소 : 개신문화관 1층 로비   [ 제출서류 ] 1) 캡스톤디자인 과제신청서 : 9/24(수) 14:00 까지                 ①, ②   2) 포스터/결과집 : 11/14(목) 10:00까지 (예정)                         ① 참고) https://material.cbnu.ac.kr/material5_1_1/6745   3) 캡스톤디자인 재료비 신청서 : 과제신청서 제출 이후~경진대회 당일 까지, 기간 중 지출 필요 시 수시 제출   ②   4) 경진대회 : 11/20(목) 10:00~17:00   5) 졸업논문 : 12/3(수) 11:00까지 (확정)                                ①   6) 캡스톤디자인 과제 결과보고서 : 12/3(수) 17:00까지 (확정)      ①   * 모든 서류는 지도교수님께 승인 받은 후 제출     [ 제출방법 ] ① jojoohee@chungbuk.ac.kr (한글파일) ② 학과사무실 방문 제출

29
2025.08

** 공결 신청 안내 ** (2025.09.01.기준)

29
2025.08

2026-1학기 성적장학금 배정 관련 공지사항 (영어성적 반영) (~1.16.)

* 기타사항 1) 국가장학금(0~8분위)을 받는 학생의 경우, 전액장학금 대상이므로 성적장학금과 중복 불가. (9분위 학생은 중복가능) 2) 영어성적 반영하여 성적환산을 한 최종 점수의 순위로 장학금을 배정함. 3) 영어성적 미제출의 경우에도 기본점수 5점이 반영됨.    * 반영예시 학생 A : 교과성적 4.5, 영어성적 미제출 → 점수 환산 시   90점 + 영어점수 미제출  5점 = 95점 학생 B : 교과성적 3.9, 영어성적 990점  → 점수 환산 시 83.7점 + 영어점수 990점 10점 = 93.7점  학생 C : 교과성적 4.1, 영어성적 700점  → 점수 환산 시 85.5점 + 영어점수 700점  8점 = 93.5점

30
2025.10

N 2025년 석사우수장학금(이공계) 신규 장학생 선발 안내 (~11.3. 10:00)

      신청 희망하는 학생은 11.3.(월) 10:00까지 학과사무실로 제출 (기한 엄수)   * 제출서류  1) 서식파일 [ 연구활동실적서, 학업연구계획서, 사회활동기여계획서, 대학원 전일제 과정 증명서 ]    > 주임교수 날인 학과에서 처리 예정 2) 성적증명서     * 제출방법 : jojoohee@chungbuk.ac.kr로 [ 서식 한글파일 + 성적증명서 pdf ] 파일 제출      

28
2025.10

『2025학년도 동계 대학원 논문제출자격 외국어시험 대체강좌』운영 안내

18
2025.09

2025-2학기 대학원 [실험실 안전 교육] 온라인 교육 수강 안내 (~12.19.)

대학원 학위과정 수료 조건*으로 설정되어 있는 실험실 안전 교육 이수에 대하여 아래와 같이 안내합니다. * 2020학년도 입학생부터 대학원 자연과학계, 공학계, 의학계열 학과(부) 학생에게 적용   가. 이수대상: 2020학년도 입학생부터 나. 교육방법: 안전관리본부 연구실안전관리시스템 온라인교육 6시간 이상 이수 다. 등록방법: 온라인교육 이수 후 이수증을 개인별로「개신누리」에 등록 <개신누리→ 수업→ 실험실안전교육실적관리→ 실험실안전실적신청(학생)> 라. 처리절차: 학생 등록→ 학과 조교 승인→ 단과대학 담당자 승인→ 대학원정책실 승인 마. 이수 및 이수증 등록 기간: 2025. 9. 15.(월) ~ 2026. 2. 27.(금) 바. 안내사항 1) 학점에는 포함되지 않으나, 대학원 수료요건에 해당 2) 2025학년도 전기(2026.2월) 수료예정자의 경우, 원활한 수료사정을 위하여 수강 및 이수증 등록을 2025. 12. 19.(금)까지 완료    * 2026.2월 졸업예정자의 경우 디펜스 전까지 완료 3) 석·박사과정은 12시간, 통합과정 24시간 이상 의무 이수

18
2025.09

2025-2학기 대학원 [연구윤리] 온라인 교육 수강 안내 (~12.19.)

2025학년도 2학기 대학원「연구윤리」온라인 교육을 아래와 같이 운영하오니 해당 학생은 이수하기 바랍니다.     - 이수기간: 2025. 9. 15.(월) ~ 12. 19.(금) - 이수방법: 온라인(충북대LMS 누리집) 개별 이수 후 개신누리에 학생이 직접 이수증 등록 - 기타사항: 2025. 12. 19.(금) 이후에는 수강이 불가하오니 해당학기 이수기간 내 이수증 출력 및 개신누리 실적 등록 필수  

16
2025.10

신소재공학과 오세영 씨, 실리콘 한계를 넘는 초저전력 트랜지스터 칩 어레이 구현 (2025.10.15.)

    - 세계적 학술지 ‘어드밴스드 머티리얼즈’ 표지논문 선정 -     재료공학전공 오세영(박사 4년, 지도교수 조병진) 씨가 주도한 연구 결과가 세계적인 학술지 ‘어드밴스드 머티리얼즈(Advanced Materials, IF 26.8)’ 온라인판 9월 2일자에 게재됐으며, 오는 2026년 발간되는 7호 저널의 표지 논문(Front cover)으로 선정됐다.   이 논문은 ‘Chip-Scale Graphene/IGZO Cold Source FET Array Enabling Sub-60 mV dec-1 Super-Steep Subthreshold Swing(칩 스케일 그래핀/IGZO 콜드 소스 전계 효과 트랜지스터 어레이를 통한 60 mV/dec 이하 초경사 문턱전압이하 스윙 구현)’이라는 제목으로 실리콘 트랜지스터의 한계를 뛰어넘는 혁신적 성과를 발표했다.   기존의 실리콘 기반 전계 효과 트랜지스터(FET)는 문턱전압이하스윙(SS)을 상온에서 60 mV/dec 이하로 낮추는 것이 물리적으로 불가능하다고 여겨져 왔다. 연구팀은 선형적인 상태밀도함수(DOS)를 갖는 반금속 소재를 소스 전극으로 활용해 채널/소스 계면의 열전자 농도를 효과적으로 낮춤으로써 초경사 스위칭 특성을 구현할 수 있다는 원리에 착안해 콜드 소스 트랜지스터를 개발했다.   연구팀은 단일층 그래핀을 소스 전극으로, 인듐-갈륨-아연 산화물(IGZO)을 반도체 채널로 구성한 8×8 콜드 소스 트랜지스터 어레이를 제작해 상온에서도 60 mV/dec 이하의 SS 특성을 칩 단위에서 균일하게 구현하는 데 세계 최초로 성공했다. 졸-겔 공정으로 IGZO 반도체를 증착한 뒤 전사 공정으로 그래핀을 정밀하게 소스 전극에 형성함으로써 어레이 구조를 완성했으며, 기존 금속 전극 기반 소자와 달리 그래핀 전극을 도입함으로써 균일하고 안정적인 초저전력 스위칭 특성을 확보했다.   또한 게이트 유전체의 종류에 따른 SS 특성 변화를 분석한 결과, 낮은 body factor를 갖는 하프늄 산화물 유전체가 SS 값을 60 mV/dec 이하로 낮추는 핵심 요소임을 규명했다.   이번 논문은 오세영씨가 단독 제1저자로 참여했으며, 조병진 신소재공학과 교수와 박우진 박사후연구원, 한국재료연구원 김용훈 박사가 공동 교신저자로, 삼성전자 강경록 연구원이 공동 저자로 참여했다.   연구를 지도한 조병진 교수는 “기존 연구는 단일 소자 수준에서만 콜드 소스 현상을 보고했지만, 이번 연구는 대면적 공정이 가능한 IGZO 산화물 반도체와 고유전율 유전체를 적용해 칩 어레이 수준에서 높은 수율과 신뢰성 있는 초경사 스위칭 특성을 확보한 세계 최초의 사례”라며 “인공지능과 초저전력 컴퓨팅 시대를 대비한 차세대 트랜지스터 설계의 핵심 전략을 제시했다는 점에서 의미가 크다”고 밝혔다.   한편, 이번 연구는 오세영씨가 3년간 수행한 충북대-삼성전자 DS 산학과제의 결과로, 한국과 미국에서 관련 특허를 출원했으며 학문적·산업적 가치가 높다.     https://www.cbnu.ac.kr/www/selectBbsNttView.do?key=548&bbsNo=14&pageIndex=2&pageUnit=10&searchCnd=all&nttNo=162122   https://www.cbnu.ac.kr/www/selectBbsNttView.do?key=558&bbsNo=17&nttNo=161771&pageUnit=10&searchCnd=all&pageIndex=1

15
2025.10

신소재공학과 조병진 교수 연구팀, 인공지능 반도체 핵심기술 ‘시냅스 트랜지스터’ 혁신적 설계법 개발 (2025.10.14.)

    - 세계적 권위 국제학술지 Advanced Functional Materials 게재 -   □ 충북대학교(총장 고창섭) 신소재공학과 조병진 교수 연구팀이 인공지능 반도체 분야의 핵심 기술인 시냅스 트랜지스터의 비선형성과 안정성 문제를 획기적으로 개선한 연구 결과를 세계적 권위의 국제학술지 Advanced Functional Materials(Impact Factor 19.0, JCR 재료과학 분야 상위 4.9%)에 게재했다.   □ 이 연구는 ‘Dynamic Control of Synaptic Plasticity by Competing Ferroelectric and Trap-Assisted Switching in IGZO Transistors with Al2O3/HfO2 Dielectrics’라는 제목으로 IGZO(인듐-갈륨-아연 산화물) 기반 트랜지스터에 Al2O3/HfO2 유전체 적층 구조를 도입하여, 강유전 분극과 트랩 전하가 경쟁적으로 작용하는 독창적인 소자 설계를 제안했다.   □ 이번 연구에는 소재 분야 시뮬레이션 전문가인 김한슬 신소재공학과 교수(공동교신저자)와 신소재공학과 권오준(박사 3년, 지도교수 조병진) 씨, 이동호(공동 제1저자, 4학년, 지도교수 김한슬) 학생과 한국재료연구원 윤종원 박사, 한양대학교 안지훈 교수 등이 공동 연구에 참여했다.   □ 연구팀은 매립형 게이트 구조의 IGZO 기반 트랜지스터에 Al2O3/HfO2 유전체 적층 구조를 도입해 강유전 분극과 트랩 전하 듀얼 메커니즘으로 동작하는 독창적인 소자를 개발했으며, 다양한 실험적 분석기법과 원자 시뮬레이션을 통해 제안한 동작 메커니즘이 유효함을 입증했다.    □ 특히 단일 전압 극성에서 주파수 변화만으로 전기 전도도의 증대와 억제 반응을 동시에 구현함과 동시에 전기 전도도 변화의 선형성 또한 크게 향상된 시냅스 소자 특성을 구현했다.   □ 이런 높은 선형성 덕분에 MNIST 필기 숫자 시뮬레이션 평가에서는 97% 이상의 높은 인식률을 달성함으로써 차세대 뉴로모픽 컴퓨팅 하드웨어의 실현 가능성을 보였다.   □ 조병진 교수는 “이번 연구는 강유전성과 전하 트랩 특성의 경쟁적 상호작용을 체계적으로 활용해 기존 시냅스 소자의 한계를 극복하는 새로운 설계 전략을 제시했다”며 “차세대 뉴로모픽 회로 설계의 효율성을 크게 향상시킬 것으로 기대한다”고 밝혔다.     https://www.cbnu.ac.kr/www/selectBbsNttView.do?key=558&bbsNo=17&nttNo=161731&pageUnit=10&searchCnd=all&pageIndex=1

13
2025.10

신소재공학과 이동주 교수 연구팀, 차세대 리튬 금속 배터리 분리막 개발 (2025.10.02.)

    - 국제 학술지 Advanced Energy Materials 게재 -   ☐ 충북대학교(총장 고창섭)는 신소재공학과 이동주 교수 연구팀이 리튬 금속 배터리 상용화의 핵심 난제인 덴드라이트 문제를 해결할 새로운 기술을 개발했다고 지난 9월 30일(화) 밝혔다.   ☐ 리튬 금속 배터리는 기존 리튬이온 배터리 대비 월등히 높은 에너지 밀도를 지닌 차세대 전지로 주목받고 있으나, 충·방전 과정에서 발생하는 리튬 덴드라이트로 인해 안전성과 수명이 저하되는 문제가 상용화를 가로막아 왔다. 특히 전극-전해질 계면에서의 이온 불균일 이동과 불안정한 계면 형성은 전지 단락과 화재 위험으로 이어질 수 있어 해결이 시급한 과제로 꼽혀왔다.   □ 연구팀은 전이금속 탄화물 2차원 소재인 MXene을 도입한 PVDF-HFP 기반 기능성 분리막을 개발했다. 해당 분리막은 분리막은 리튬 이온의 균일한 이동을 유도하고 전지 내부에서 안정적인 계면을 형성함으로써, 균일한 리튬 증착을 통한 덴드라이트 성장 억제, 장수명, 고효율 특성을 동시에 구현하였다.      □ 또한, 밀도범함수이론 계산 및 분자동역학 시뮬레이션을 통해 MXene의 극성 표면기가 전해질 음이온 환원을 촉진하여 안정적 고체 전해질 계면이 형성되는 원리를 규명함으로써 향후 배터리 소재 설계와 차세대 고에너지 밀도 리튬 금속 배터리 원천기술 확보와 산업적 응용 가능성을 확대하는 데 중요한 토대를 마련했다.   □ 이번 연구 결과는 △과학기술정보통신부의 지역혁신선도연구센터와 △학연협력플랫폼구축시범사업, △교육부의 이공분야 학술연구지원사업(인프라 고도화)의 지원을 받았으며, 에너지 분야 세계적 권위 학술지 어드밴스드 에너지 머티리얼즈(Advanced Energy Materials, IF 26.0)에 ‘Regulating Solvation Dynamics and Lithium Plating via Ti3C2Tx-Engineered PVDF-HFP Separators’란 제목으로 9월 10일 온라인으로 게재됐다.   □ 연구에는 이동주 교수와 KAIST 김지한 교수가 공동 교신저자로 참여했으며 한국원자력연구원 김형섭 박사 연구팀이 공동으로 연구를 수행했다.   □ 이동주 교수는 “분리막의 구조적·기능적 혁신을 통해 리튬 금속 배터리의 핵심 난제를 극복할 수 있음을 확인한 것”이라며, “차세대 배터리 기술 발전에 실질적인 돌파구가 될 것으로 기대한다”고 말했다.     https://www.cbnu.ac.kr/www/selectBbsNttView.do?key=558&bbsNo=17&nttNo=161611&pageUnit=10&searchCnd=all&pageIndex=2

13
2025.10

신소재공학과 조병진 교수 '9월 이달의 연구자' 선정 (2025.09.30.)

    - 세계 최초 콜드 소스 트랜지스터 어레이 구현 -   □ 충북대학교(총장 고창섭)가 2025년 9월 ‘이달의 연구자’로 공과대학 신소재공학과 조병진 교수를 선정했다.   □ 조병진 교수는 피인용 지수(Impact Factor, IF) 26.8, 학문 분야별 IF 상위 2.1%에 해당하는 국제 저명 학술지 Advanced Materials에 ‘Chip-Scale Graphene/IGZO Cold Source FET Array Enabling Sub-60 mV dec−1 Super-Steep Subthreshold Swing’ 논문을 발표했다. 연구팀은 단일층 그래핀을 소스 전극으로 활용한 인듐-갈륨-아연 산화물(IGZO) 반도체 기반 전계 효과 트랜지스터를 8×8 어레이 형태로 구현하고, 상온에서 기존 실리콘 트랜지스터의 이론적 한계로 여겨지던 60 mV/dec 이하의 문턱전압이하스윙(Subthreshold Swing, SS) 특성을 칩 단위에서 균일하게 달성하는 데 세계 최초로 성공했다. 이를 통해 초저전력 트랜지스터 소자를 실험적으로 구현하는 성과를 거뒀다.   □ 기존 연구에서는 반금속 소재를 소스 전극으로 도입하면 오프 상태에서 반도체/소스 계면의 전자 농도를 억제해 초경사 스위칭 특성을 구현할 수 있음이 보고돼 왔다. 이러한 원리를 적용한 소자를 ‘콜드 소스 트랜지스터’라 부른다.   □ 본 연구에서 연구진은 졸-겔 공정을 통해 대면적 IGZO 산화물 반도체를 손쉽게 증착한 뒤, 전사 공정을 통해 단일층 그래핀을 소스 전극으로 도입해 8×8 콜드 소스 트랜지스터 어레이를 제작했다. 일반 금속 소스를 사용하는 IGZO 트랜지스터와 달리, 선형 전자 상태 밀도를 가진 그래핀 소스를 활용한 어레이 소자 대부분에서 상온에서도 균일하게 60 mV/dec 이하의 낮은 SS값을 구현했다. 또한 게이트 유전체와 SS 특성의 상관관계를 분석·최적화해, 낮은 body factor를 갖는 하프늄 산화물 유전체가 SS 값을 60 mV/dec 수준으로 낮추는 핵심 요소임을 밝혀냈다.   □ 조병진 교수는 “기존 연구들은 주로 스카치 테이프 박리법으로 얻은 단일 그래핀이나 2차원 초박막 플레이크, 카본나노튜브 등을 활용한 단일 소자 수준에서 콜드 소스 특성을 보고하는 데 그쳤다”며, “이번 연구는 IGZO 산화물 반도체와 high-k 유전체를 적용해 어레이 소자 수준에서도 높은 수율과 신뢰성 있는 콜드 소스 특성을 세계 최초로 구현했다는 점에서 의미가 크다”고 밝혔다. 이어 “이는 차세대 초저전력 반도체 개발의 전환점이 될 것이며, 인공지능 반도체와 초저전력 컴퓨팅 기술에도 직접적으로 기여할 수 있는 미래지향적 성과다. 특히 삼성전자 DS 과제를 통해 도출한 결과로 한국과 미국에서 특허를 출원해 학문적·산업적 가치가 더욱 크다”고 덧붙였다.     □ 충북대는 이달의 연구자를 매월 선정하고 있으며, 논문 발표 학술지의 IF와 학문 분야별 상위 %, 연구개발(R&D) 수주 금액, 기술이전 실적 등을 종합적으로 평가해 연구자를 선정한다.     https://www.cbnu.ac.kr/www/selectBbsNttView.do?key=558&bbsNo=17&nttNo=161498&pageUnit=10&searchCnd=all&pageIndex=3

22
2025.10

2025년 연구활동종사자 건강검진 대상자 제출 요청 (~10.24. 15:00)

    붙임2 의 물질을 취급하는 연구활동종사자 (교수·연구원·대학생·대학원생 및 연구보조원 등)가 있을 경우, ‘붙임1’의 양식을 작성하여 2025.10.24.(금) 15:00까지 기한을 준수하여 회신 ※ 해당 기한까지 회신이 없을 경우 대상자가 없는 것으로 간주함.   (참고) : 전년도 제출자료   제출방법 : jojoohee@chungbuk.ac.kr 로 (붙임1) 파일 회신

08
2025.09

[초대장] 신소재공학과 설립 50주년 기념행사 (2025.11.14.(금) 19:00)

   [행사 시간 변경] * 졸업생분들의 의견을 반영하여 행사 시작 시간을 19시로 변경하였습니다.    이미 참석 의사를 밝혀주신 동문 여러분께 양해 부탁드립니다.     주변 동문 졸업생 여러분께 전달해 주시면 행사에 많은 도움이 되겠습니다.   ------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------   안녕하세요. 충북대학교 신소재공학과사무실입니다. 현재 학과에서는 충북대학교 신소재공학과 설립 50주년 기념 행사를 준비하고 있습니다.   초대장을 보내드리니, 많은 관심과 참여 부탁드립니다.   - 행사일시 : 2025.11.14.(금) 19:00 ~ - 행사장소 : 충북대학교 법학전문대학원 1층 다목적홀         [ 참석안내사항 ] - 입금 계좌 : 카카오뱅크 3333-34-7292068 박기대     [ 전시 자료 제출 안내 ] Google Drive (클릭) cbnumaterial@gmail.com material@chungbuk.ac.kr     50주년 발자취 영상, 행사장 전시 등에 활용하기 위해 자료를 수집하고 있습니다. 사진, 영상, 문서, 연락처 등 자료가 있으시면 공유 부탁드립니다.   발대식, MT 등 학과 공식 행사를 포함하여  학과 교수님, 학과 동기, 선후배와 함께 촬영한 사진, 편집부 자료(Grain, Crystal) 등 학과에 관련된 자료는 모두 가능합니다.   [성함,학번] 으로 폴더를 생성하시고 업로드 해주시면, 담당자가 확인 후 자료를 다운받은 후, 드라이브에서는 삭제할 예정입니다.   업로드가 어려우신 경우, 이메일로 보내주셔도 됩니다. 메일로 보내실 때에는 학번, 성함 기재 부탁드립니다. (자료를 제공해 주시는 분께 소정의 상품을 드릴 예정입니다.)   감사합니다.

17
2025.06

연구·검사용 폐시약(폐유독물) 위탁처리 알림

14
2024.05

연구노트 신청 및 수령방법 안내

1. 「국가연구개발혁신법」및 우리대학 연구노트 규정에 의거 국가R&D과제를 수행하는 모든 연구자는 연구노트를 발급받아 작성해야 합니다. 2. 이에 산학협력단에서는 연구노트 미발급에 따른 연구자의 불이익을 미연에 방지하고  연구자분들의 연구노트 신청 및 수령 편의성을 증진하기 위하여 연구노트 신청·수령방법을 다음과 같이 안내하오니 적극 활용하여 주시기 바랍니다. 3. 아울러 각 학과·부서에서는 소속 연구자에게 공람될 수 있도록 협조하여 주시기 바랍니다.   가. 연구노트 신청 및 수령방법 1) 신청 및 발급: 연구비관리시스템을 통한 비대면 신청(신청서 출력 불필요) 2) 수령: 학내우편 발송, 방문수령 중 택1   나. 연구노트교육: 스마트교육플랫폼에서 온라인 교육 수강 가능   다. 참고사항 1) 비대면신청을 하시면 신청서 출력은 생략이 가능합니다. 2) 교내우편 신청 시 수령은 신청일 기준 2~3일 뒤에 받으실 수 있습니다. 3) 교내우편 신청 시 배송지의 경우 책임자연구실 또는 희망배송지란에 입력을 부탁드립니다. 4) 방문수령하실 경우 수령예정일과 수령인 성명 및 연락처를 필수로 입력하셔야 하며 반드시 사전에 산학협력단으로 유선 연락하여 주시기 바랍니다. 5) 연구노트발급현황 메뉴를 통하여 발급대상과제 확인이 가능하오니 미처 발급신청을 못하신 과제에 대해서는 즉시 연구노트 발급 신청 및 수령을 부탁드립니다. 다. 관련문의처: 연구감사팀 권순평 선임(내선번호:3492)